NEC开发出一种非易失磁翻转技术，可用于控制 SoC 在备用模式（standby）下的功耗。
在 SoC 中，当某个部分暂时用不到时，可以将该部分的电源切断进入备用模式来减小电耗，这是一种很有效的节能技术。但 SoC 使用 CMOS 电路，切断电源后数据将要丢失。一些重要数据即使在备用状态下也需要保护，就不能切断电源，所以 SoC 的功耗即使在完全备用模式下无法降低到零。大部分 SoC 使用同步时钟逻辑电路，如果数据翻转（Data Flip Flop）电路是非易失的，那么整个逻辑电路就是非易失的。如果把逻辑电路里的 DFF 电路替换为 MFF，把易失的 SRAM 替换为非易失的 MRAM，SoC 电路就是非易失的，且完全备用模式零功耗。
使用铁电体（FeRAM）的非易失技术已经获得广泛应用。目前铁电体的写入寿命已达一亿亿次（1016），但铁电体的读周期需要用到一个写周期来实现，如果以 GHz 频率读某个铁电体的存储单元，该存储单元的寿命只有 107.8 天。这种极端情况很少见，但通常应用下，RAM 的某些区域的读操作确实是非常频繁的，从安全角度考虑，铁电体的寿命特性仍然限制了它可以应用的领域。另外，当前 SoC 都工作在 1.2V 或更低电压下，而铁电体无法在这个电压下工作，在 SoC 中应用铁电体较为困难。
NEC 开发的 MFF 技术写入次数是无限的，且能在 1.2V 或更低电压下工作。可以预见，该技术将在 SoC 中得到广泛应用。